Cei de la Toshiba anunţă că au reuşit o nouă performanţă în materie de memorie flash: integrarea de ECC (Error Correction Code) la nivelul acestor chip-uri SLC, realizate în procesul tehnologic de 32 nm. Noul modul este capabil să corecteze 4 bits la 512 bytes şi degrevează, astfel, controller-ul.

Memoria astfel creată a fost botezată “benand” şi se va extinde şi la 24 nm atunci când noul proces tehnologic va fi viabil, în a doua parte a anului 2012. Noile chip-uri au capacităţi de 4 sau 8 Gb.