Galaxy S10 ar putea fi primul beneficiar al unui nou dispozitiv de stocare flash, care oferă de 20 de ori mai mult spaţiu de stocare decât o memorie internă de 64 GB şi o viteză de 10 ori mai mare decât un card tipic microSD, scrie go4it.ro.

Samsung Electronics a început să producă în masă primul dispozitiv de stocare din industrie de 1 TB (eUFS) 2.1, destinat aplicaţiilor mobile din generaţia următoare. În aceeaşi dimensiune a ambalajului (11,5mm x 13,0mm), soluţia 1TB eUFS dublează capacitatea versiunii anterioare de 512GB prin combinarea a 16 straturi ale celei mai avansate memorii flash Samsung V1200N (Gb) V-NAND de 512gigabiţi şi un controler nou dezvoltat.

Utilizatorii de smartphone-uri vor putea să stocheze 260 de clipuri video de 10 minute în format 4K UHD (3840x2160), în timp ce 64GB eUFS, care se găseşte pe multe smartphone-uri de ultimă generaţie, este capabil să stocheze doar 13 videoclipuri de aceeaşi dimensiune.

Dispozitivul 1TB eUFS poate atinge viteze la citire de până la 1000 MB/s, de aproximativ două ori mai mare decât un SSD tipic pentru PC, prevăzut cu interfaţă SATA. În plus, viteza de citire aleatorie a crescut cu până la 38% faţă de versiunea de 512GB, ajungând până la 58.000 IOPS. Viteza de scriere este de 500 de ori mai rapidă decât cea a unui card microSD de înaltă performanţă (100 IOPS), care poate ajunge până la 50.000 IOPS. Vitezele aleatorii permit fotografierea continuă la 960 de cadre pe secundă.

Samsung intenţionează să extindă producţia celei de-a cincea generaţii de 512Gb V-NAND la uzina din Pyeongtaek din Coreea, în prima jumătate a anului 2019, pentru a răspunde cererilor tot mai mari pentru unitatea de 1TB eUFS pe care le primeşte de la producătorii de dispozitive mobile din întreaga lume.